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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Chassishalterung
Spannung - bewertet:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-1230-4S
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
2.5GHz
Gewinn:
14.1 dB
Packung / Gehäuse:
NI-1230-4S
Gegenwärtig - Test:
700 MA
Leistungsabgabe:
50W
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
AFT26
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
FET RF 2CH 65V 2,5 GHz NI1230S-4
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 28 V 700 mA 2,5 GHz 14,1 dB 50 Watt NI-1230-4S