Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Spannung - bewertet:
4 V
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Rauschmaß:
0.45 dB
Lieferanten-Gerätepaket:
F4TSMM, M04
Spannung - Test:
2 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
2GHz
Gewinn:
14dB
Packung / Gehäuse:
SOT-343F
Gegenwärtig - Test:
10 MA
Leistungsabgabe:
18dBm
Technologie:
GaAs HJ-FET
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
120mA
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
FET RF 4V 2 GHz 4-TSMM
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Wird die Zufuhr von Zellstoff in der Zellversorgung erfolgt, so ist die Zufuhr von Zellstoff in der Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zellversorgung durch die Zelle.
