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AFV121KHSR5
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AFV121KHSR5

AFV121KHSR5

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Spannung - bewertet:
112 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Konfiguration:
Doppel
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-1230-4S
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
960 MHz ~ 1,22 GHz
Gewinn:
190,6 dB
Packung / Gehäuse:
NI-1230-4S
Gegenwärtig - Test:
100 MA
Leistungsabgabe:
1000 W
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
AFV121
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
HF-Mosfet 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,22 GHz 19,6 dB 1000 W NI-1230-4S

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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