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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Chassishalterung
Spannung - bewertet:
50 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Konfiguration:
-
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-360H-2SB
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
1MHz ~ 2,5 GHz
Gewinn:
16.3 dB
Packung / Gehäuse:
NI-360H-2SB
Leistungsabgabe:
100W
Technologie:
-
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
AFG24
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 1MHz ~ 2,5GHz 16,3 dB 100W NI-360H-2SB

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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