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DTD143ECT216
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DTD143ECT216

DTD143ECT216

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
500 MA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
200 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SST3
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
4,7 kOhm
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
200 mW
Packung / Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
47 @ 50mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTD143
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
NPN 200MW SST3 von Trans Prebias
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistoren (BJT) mit vorgebildetem Anschluss (NPN) - vorgebildeter Anschluss 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenhalter SST3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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