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RN2105, LF(CT
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RN2105, LF(CT

RN2105, LF(CT

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
PNP - Vorabverzerrt
Frequenz - Übergang:
200 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SSM
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
100 mW
Packung / Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN2105
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias PNP 50V 0,1A SSM
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) PNP - Bipolartransistor 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Oberflächenmontage-SSM

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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