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PDTA123TT,235
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PDTA123TT,235

PDTA123TT,235

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
150mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236AB
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1µA
Macht- maximales:
250mW
Packung / Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
30 @ 20mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTA123
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) PNP - vorgebildeter 50 V 100 mA 250 mW Oberflächenhalter TO-236AB

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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