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PDTC144WE,115
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PDTC144WE,115

PDTC144WE,115

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
150mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-75
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
22 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1µA
Macht- maximales:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
60 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTC144
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias NPN 150 MW SC75
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) NPN - Vor-voreingenommene 50 V 100 MA 150-mW-Oberflächenberg SC-75

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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