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EML17T2R
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EML17T2R

EML17T2R

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
30 MA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistor-Art:
PNP - Vorverzerrt + Diode
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
EMT5
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
120 mW
Packung / Gehäuse:
6-SMD (5 Führungen), flache Führung
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
EML17
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias PNP 0,12 W EMT5
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) PNP - Bipolartransistor + Diode 50 V 30 mA 250 MHz 120 mW Oberflächenhalter EMT5

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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