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UNR522600L
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UNR522600L

UNR522600L

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
600 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
200 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
80mV @ 2,5mA, 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
20 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SMini3-G1
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Elektronische Bauelemente Panasonics
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 μA (ICBO)
Macht- maximales:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
100 @ 50mA, 5V
Basisproduktnummer:
UNR5226
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias NPN 150 MW SMINI3
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 20 V 600 mA 200 MHz 150 mW Oberflächenhalter SMini3-G1

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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