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DTC124ESATP
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
30 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band & Box (TB)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SPT
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
22 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
300mW
Packung / Gehäuse:
SC-72 Formierte Bleiflächen
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
56 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTC124
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias NPN 300 MW SPT
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor mit vorgebildetem Schnitt (BJT) NPN - Vorgebildeter Schnitt 50 V 30 mA 250 MHz 300 mW Durch Loch SPT

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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