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DDTC114ECAQ-13-F
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
200 mW
Packung / Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
35 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DDTC114
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Vorbehaltlich der Bestimmungen des Absatzes 1 dieses Artikels ist der Anwendungsbereich der Verordnu
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmontage SOT-23-3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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