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NSB9435T1
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NSB9435T1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
3 A
Produktstatus:
Veraltet
Transistor-Art:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
110 MHZ
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
210mV @ 20mA, 800mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
30 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223 (TO-261)
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Ein- und zweimal
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
-
Macht- maximales:
3 W
Packung / Gehäuse:
TO-261-4, TO-261AA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
125 @ 800mA, 1V
Basisproduktnummer:
NSB9435
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans PWR BRT PNP 30V 3A SOT223
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) PNP - vorgebildeter 30 V 3 A 110 MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223 (TO-261)

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