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RN2103ACT(TPL3)
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RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
80 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
150mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
CST3
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
22 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
100 mW
Packung / Gehäuse:
SC-101, SOT-883
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
70 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN2103
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias PNP 50V 0,08A CST3
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) mit vorgebildetem Anschluss (PNP) - Vorgebildeter 50 V 80 mA 100 mW Oberflächenhalter

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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