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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
230 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenberg, benetzbare Flanke
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
100mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
DFN1412D-3
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
100nA
Macht- maximales:
360 mW
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
100 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTC114
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
PDTC114YQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 100 mA 230 MHz 360 mW Oberflächenmontage, nassige Flanke DFN1412D-3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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