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RN1309 ((TE85L,F)
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RN1309 ((TE85L,F)

RN1309 ((TE85L,F)

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-70
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
22 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
100 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
70 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN1309
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
NPN 50V 0,1A USM
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Oberflächenhalter SC-70

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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