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PDTC143EQC-QZ
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PDTC143EQC-QZ

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
230 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenberg, benetzbare Flanke
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
150mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
DFN1412D-3
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
4,7 kOhm
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1µA
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTC143
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
PDTC143EQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 50 V 100 mA 230 MHz Oberflächenaufbau, nassige Flanke DFN1412D-3

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