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DTA114ESATP
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DTA114ESATP

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
50 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistor-Art:
PNP - Vorabverzerrt
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band & Box (TB)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SPT
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
300mW
Packung / Gehäuse:
SC-72 Formierte Bleiflächen
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTA114
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias PNP 300 MW SPT
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistoren (BJT) PNP - Bipolartransistoren 50 V 50 mA 250 MHz 300 mW durch Loch SPT

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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