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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-323
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
22 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
200 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
68 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
DDTC143
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW vorgebildet

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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