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DTC114EEBTL
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
50 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
EMT3F (SOT-416FL)
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-89, SOT-490
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTC114
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3F
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenbefestigung EMT3F (SOT-416FL)

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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