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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
500 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
140 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
100 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-323
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
2,2 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
300mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
40 @ 50mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTB123
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias PNP 0,425 W
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Oberflächenhalter SOT-323

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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