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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
600 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistor-Art:
PNP - Vorverzerrt + Diode
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
200 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
DRD (xxxx) W
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
400mV @ 15mA, 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
60 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Mfr:
Dioden eingebunden
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
10nA (ICBO)
Macht- maximales:
200 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
-
Basisproduktnummer:
DRDP006
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans PNP 60V 0,6A SOT363
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) PNP - Bipolartransistor + Diode 60 V 600 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenhalter SOT-363

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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