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UNR421100A
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UNR421100A

UNR421100A

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistor-Art:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
150 MHZ
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
NS-B1
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Elektronische Bauelemente Panasonics
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
500nA
Macht- maximales:
300mW
Packung / Gehäuse:
3-SIP
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
UNR421
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
Trans Prebias NPN 300 MW NS-B1
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 150 MHz 300 mW durch Loch NS-B1

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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