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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
75 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP3
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 50A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP3
Mfr:
Microsemi Corporation
Betriebstemperatur:
-
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 250
IGBT-Art:
NPT, Schützengraben
Macht- maximales:
270 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 V
Konfiguration:
Vollbrücke-Inverter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 75A 270W SP3
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul NPT, Trench Field Stop Vollbrückenumrichter 1200 V 75 A 270 W Fahrgestellmontage SP3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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