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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
610 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.2V @ 15V, 400A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
4 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
2307 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
24.6 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGL475
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 610A 2307W SP6
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Einzel 1200 V 610 A 2307 W Fahrgestell SP6

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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