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Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem ausgelegt.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
185 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP3
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.4V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP3
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
50 µA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
650 w
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
6.15 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGLQ100
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 185A 650W SP3
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 185 A 650 W Durch Loch SP3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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