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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
320 A
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
EconoDUALTM 3
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 225A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
3 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
1050 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Konfiguration:
2 unabhängig
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
FF225R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Produkt-Beschreibung
IGBT-Module Gräbenfeldstop 2 Unabhängiges 1200 V 320 A 1050 W-Modul für die Chassismontage

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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