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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
139 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
HEXFRED®
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.55V @ 15V, 80A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
100 µA
IGBT-Art:
Graben
Macht- maximales:
658 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
4.4 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
GT80
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul-Graben Einzel 1200 V 139 A 658 W Fahrgestell SOT-227

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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