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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
247 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schachtel
Reihe:
FRED Pt®
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.32V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
650 V
Lieferanten-Gerätepaket:
In-A-PAK IGBT
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
100 µA
IGBT-Art:
Graben
Macht- maximales:
517 W
Eingabe:
Standards
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Konfiguration:
Halbbrücke-Inverter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
Module IGBT - IAP IGBT
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräben-Halbbrücke-Inverter 650 V 247 A 517 W Fahrgestell INT-A-PAK

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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