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FS100R12KS4BOSA1
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FS100R12KS4BOSA1

FS100R12KS4BOSA1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
130 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
3.7V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 125°C
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
5 MA
IGBT-Art:
-
Macht- maximales:
660 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
6.8 nF @ 25 V
Konfiguration:
Dreiphaseninverter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
FS100R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 130A 660W
Produkt-Beschreibung
IGBT-Module Dreiphasen-Wechselrichter 1200 V 130 A 660 W Fahrgestellmontage

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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