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FP150R12N3T7B16BPSA1
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FP150R12N3T7B16BPSA1

FP150R12N3T7B16BPSA1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
150 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
EconoPIMTM 3
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
-
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
AG-ECONO3
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 12
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
20 mW
Eingabe:
Dreiphasenbrückengleichrichter
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
30,1 N-Düngung @ 25 V
Konfiguration:
Dreiphaseninverter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
FP150R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
Wir haben eine Reihe von Anwendungen.
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Drei-Phasen-Wechselrichter 1200 V 150 A 20 mW Fahrgestell AG-ECONO3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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