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MG100HF12TLC1
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MG100HF12TLC1

MG100HF12TLC1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.85V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Mfr:
Yangjie Technologie
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben
Macht- maximales:
785 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
7.43 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzelner Schalter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
Transistoren - IGBTs - Module C1
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul-Grench-Einfachschalter 1200 V 100 A 785 W Fahrgestell

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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