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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.

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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
230 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP3
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.2V @ 15V, 150A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP3
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
300 µA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
940 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGL180
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 230A 940W SP3
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Halbbrücke 1200 V 230 A 940 W Fahrgestellmontage SP3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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