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MG75U12MRGJ
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.3V @ 15V, 75A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Yangjie Technologie
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
100 µA
IGBT-Art:
-
Macht- maximales:
420 Watt
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
5.5 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
Transistoren - IGBTs - Module GJ
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Einzel 1200 V 100 A 420 W Fahrgestell SOT-227

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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