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CM150DUS-12F
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CM150DUS-12F

CM150DUS-12F

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
150 A
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
IGBTMODTM
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.7V @ 15V, 150A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Powerex Inc.
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben
Macht- maximales:
520 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
41 nF @ 10 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT MOD 600V 150A 520W
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenhalbbrücke 600 V 150 A 520 W Fahrgestellmontage-Modul

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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