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FS100R07N2E4B11BOSA1
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FS100R07N2E4B11BOSA1

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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
125 A
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
EconoPACKTM 2
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.95V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
650 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
20 mW
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Konfiguration:
Dreiphaseninverter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IGBT MOD 650V 125A 20MW
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Trennfeld-Stopp-Drei-Phasen-Wechselrichter 650 V 125 A 20 mW Fahrgestellmontage

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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